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截胡蘋果高通!曝三星Exynos 2600原型五月量產(chǎn):全球首款2nm芯片

  • 3月13日消息,三星未能按時(shí)發(fā)布Exynos 2500,Galaxy S25系列被迫全部搭載高通驍龍8 Elite芯片。據(jù)媒體報(bào)道,三星已將工作重心轉(zhuǎn)向下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600,這顆芯片首發(fā)三星2nm工藝制程,計(jì)劃在5月份進(jìn)入原型量產(chǎn)階段,Galaxy S26系列將會(huì)首發(fā)搭載,這是全球首款2nm手機(jī)芯片。據(jù)爆料,Exynos 2600基于三星SF2工藝制造,這是三星第一代2nm制程,較第二代3GAP 3nm制程,SF2在相同計(jì)算頻率和復(fù)雜度情況下可降低25%功耗,相同功耗和復(fù)雜度情況下可提高1
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三星已于去年底量產(chǎn)第四代 4 納米芯片,全力追趕臺(tái)積電

  • 3 月 11 日消息,據(jù) ZDNet Korea 今日?qǐng)?bào)道,三星電子 11 日的業(yè)務(wù)報(bào)告稱,三星電子第四代 4 納米工藝(SF4X)已于去年 11 月開(kāi)始量產(chǎn)。由于該工藝專注于人工智能等高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域,預(yù)計(jì)將在三星代工業(yè)務(wù)的復(fù)蘇中發(fā)揮關(guān)鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產(chǎn)。圖源:三星電子據(jù)了解,與前幾代相比,三星的第四代 4 納米芯片采用了先進(jìn)的后端連線(BEOL)技術(shù),能夠顯著提升芯片的整體性能,同時(shí)降低制造成本。此外,該芯片還配備了高速晶體管,還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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全球前十大晶圓代工廠4Q24營(yíng)收排名:臺(tái)積電穩(wěn)居龍頭 中芯國(guó)際躋身第三

  • 3月10日消息,TrendForce集邦咨詢發(fā)布的最新研報(bào)顯示,2024年第四季度,前十大晶圓代工廠合計(jì)營(yíng)收季增近10%,達(dá)384.8億美元,再創(chuàng)新高。報(bào)告稱,2024年第四季全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)呈兩極化發(fā)展,先進(jìn)制程受惠于AI Server等新興應(yīng)用增長(zhǎng),以及新款旗艦級(jí)智能手機(jī)AP和PC新平臺(tái)備貨周期延續(xù),帶動(dòng)高價(jià)晶圓出貨增長(zhǎng),抵銷成熟制程需求趨緩帶來(lái)的沖擊。其中,受惠于智能手機(jī)、HPC新品出貨動(dòng)能延續(xù),臺(tái)積電營(yíng)收成長(zhǎng)至268.5億美元,增幅14.1%,以市占率67%穩(wěn)居龍頭。三星排名第二,2024年第四季
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三星電子正開(kāi)發(fā)下一代封裝材料“玻璃中介層”:計(jì)劃2027年量產(chǎn)

  • 3月10日消息,據(jù)報(bào)道,三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門正在加速研發(fā)下一代封裝材料“玻璃中介層”,旨在替代當(dāng)前昂貴的硅中介層,并進(jìn)一步提升芯片性能。這一舉措標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域的重大突破。據(jù)悉,三星電子近期收到了來(lái)自澳大利亞材料供應(yīng)商Chemtronics和韓國(guó)設(shè)備制造商Philoptics的共同提案,建議使用康寧玻璃開(kāi)發(fā)玻璃中介層。三星正在評(píng)估委托這些公司進(jìn)行生產(chǎn)的可能性,以加速玻璃中介層的商業(yè)化進(jìn)程。與此同時(shí),三星電子的子公司三星電機(jī)也在積極推進(jìn)玻璃載板(又稱玻璃基板)的研發(fā),并計(jì)劃于202
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是德科技與三星聯(lián)合展示基于NVIDIA AI Aerial平臺(tái)的AI-for-RAN技術(shù)

  • ●? ?開(kāi)發(fā)新的?AI?模型以增強(qiáng)?RAN?性能和吞吐量,增加系統(tǒng)容量并降低功耗●? ?通過(guò)此次合作使三星能夠在全球范圍內(nèi)部署?AI?優(yōu)化的?RAN?軟件●? ?本次演示由?AI-RAN?聯(lián)盟推動(dòng),并在?2025?年世界移動(dòng)通信大會(huì)上展示是德科技與三星聯(lián)合展示基于NVIDIA AI Aerial平臺(tái)的AI-for-RAN技術(shù)是德
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英特爾再度推遲280億美元芯片廠建設(shè),恐動(dòng)搖市場(chǎng)信心

  • 【環(huán)球時(shí)報(bào)綜合報(bào)道】美國(guó)半導(dǎo)體巨頭英特爾近日宣布,其斥資280億美元在俄亥俄州建設(shè)的尖端芯片制造基地將延期5年投產(chǎn)。據(jù)路透社2月28日?qǐng)?bào)道,英特爾表示,在該州的首座晶圓工廠投產(chǎn)時(shí)間將從原計(jì)劃的2025年推遲至2030年,第二座工廠預(yù)計(jì)延至2032年投產(chǎn)。英特爾是獲得美國(guó)《芯片與科學(xué)法》最多資金支持的本土芯片企業(yè),美國(guó)科技媒體WinBuzzer網(wǎng)站3月1日稱,英特爾此前已將該工廠的建設(shè)計(jì)劃由2025年延期至2027年,兩次投產(chǎn)延期引發(fā)人們對(duì)僅靠政府資金能否振興美國(guó)芯片業(yè)的擔(dān)憂。英特爾全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁錢德拉
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十年磨一劍:三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)

  • 近日,三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)簽署了3D NAND混合鍵合(Hybrid Bonding)相關(guān)專利許可協(xié)議。不過(guò),目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND(V10)將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造,因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合,省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接,形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短,顯著提高了傳輸
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三星下一代手機(jī)OLED面板來(lái)了:同功耗亮度提升1.5倍

  • 快科技2月27日消息,三星顯示今天宣布,將于3月3日開(kāi)幕的MWC2025上展示下一代智能手機(jī)OLED面板,在戶外環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)亮度高達(dá)5000尼特。即使在觀看電影等日常使用環(huán)境下,該面板也能提供超過(guò)3000尼特的亮度。該面板采用三星顯示全球首個(gè)商用的“無(wú)偏光片顯示”技術(shù),即 “OCF (on-cell film)”技術(shù)為基礎(chǔ)開(kāi)發(fā)而成。而且相同功耗下,這款面板與近期發(fā)布的旗艦智能手機(jī)OLED面板相比,亮度提升了約1.5倍。三星顯示表示,OCF技術(shù)不僅提升了戶外可視性,還在降低功耗與創(chuàng)新設(shè)計(jì)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用,
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三星3納米開(kāi)始量產(chǎn)Exynos 2500

  • 韓國(guó)媒體 Thebell 報(bào)道,三星開(kāi)始量產(chǎn)新旗艦移動(dòng)處理器Exynos 2500,晶圓測(cè)試最早3月開(kāi)始,可能首發(fā)三星2025下半年入門級(jí)折疊手機(jī)Galaxy Z Flip FE。 但3納米GAA良率低問(wèn)題仍在,目前無(wú)法擴(kuò)大規(guī)模,初期產(chǎn)能只有每月5,000片。三星曾預(yù)定2024下半年量產(chǎn)Exynos 2500并搭載Galaxy S25旗艦手機(jī)。 但Exynos 2500采第二代3nm GAA良率低,傳聞只有20%,導(dǎo)致Exynos 2500量產(chǎn)延后,Galaxy S25系列被迫全部采高通Sna
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三星顯示與英特爾攜手為智能PC市場(chǎng)

  • 三星顯示與英特爾合作開(kāi)發(fā)下一代顯示解決方案,針對(duì)英特爾處理器進(jìn)行優(yōu)化三星顯示與英特爾已簽署一份諒解備忘錄,雙方將在提供針對(duì)英特爾處理器優(yōu)化的領(lǐng)先顯示解決方案方面展開(kāi)合作。三星顯示作為領(lǐng)先的顯示制造商之一,已與英特爾簽署了一份關(guān)于合作開(kāi)發(fā)下一代顯示屏的諒解備忘錄(MoU)。由于人工智能 PC 的需求激增,兩家公司希望攜手合作,為市場(chǎng)帶來(lái)前沿的顯示屏,為英特爾處理器提供更好的特性和優(yōu)化。通過(guò)此次合作,兩家公司旨在利用三星顯示屏中的英特爾處理器,打造高性能的信息技術(shù)(IT)設(shè)備和人工智能 PC。三星顯示執(zhí)行副總
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歷史首次!三星將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)

  • 據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea 2月24日?qǐng)?bào)道稱,三星電子近期已與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了開(kāi)發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術(shù)的專利許可協(xié)議,以便從其第10代(V10)NAND Flash產(chǎn)品(430層)開(kāi)始使用該專利技術(shù)來(lái)進(jìn)行制造。報(bào)道稱,三星之所以選擇向長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲取“混合鍵合”專利授權(quán),主要由于目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過(guò)評(píng)估認(rèn)為,從下一代V10 NAND開(kāi)始,其已經(jīng)無(wú)法再避免長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利的影
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稱三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作,新一代NAND將采用中國(guó)企業(yè)專利

  • 據(jù)韓媒報(bào)道,三星已確認(rèn)從V10(第10代)開(kāi)始,將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)的專利技術(shù),特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議,達(dá)成合作。據(jù)悉,V10是三星電子計(jì)劃最早在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的下一代NAND,該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約420至430層。將采用多項(xiàng)新技術(shù),其中最重要的是W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè),并將這項(xiàng)技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)
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救英特爾對(duì)臺(tái)積電是好事? 韓媒怕三星更慘

  • 美國(guó)總統(tǒng)特朗普上任后劍指臺(tái)積電,除了威脅課關(guān)稅,還傳出要求臺(tái)積電技術(shù)入股或接手英特爾工廠,韓國(guó)學(xué)者撰文示警,如果臺(tái)美半導(dǎo)體聯(lián)盟未來(lái)變得更強(qiáng)大,三星代工業(yè)務(wù)市占率恐受沖擊。根據(jù)韓媒《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),傳出特朗普有意利用臺(tái)積電,重振陷入困境的英特爾,并確保3納米以下的先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展。 南韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)理事安基鉉(音譯)認(rèn)為,特朗普此前試圖提高關(guān)稅和重新談判補(bǔ)貼,可能是該提案的前奏,雖然與英特爾合作,對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)是商業(yè)可行性較低的提議,但其要克服美國(guó)壓力將十分困難。也有觀點(diǎn)認(rèn)為,如果臺(tái)積電接手英特爾工廠,
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2024年全球半導(dǎo)體TOP10廠商排名

  • 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner的最新報(bào)告,2024年全球半導(dǎo)體收入總額達(dá)到了6260億美元,同比增長(zhǎng)18.1%。預(yù)計(jì)2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng),總收入將進(jìn)一步增長(zhǎng)至7050億美元。Gartner研究副總裁George Brocklehurst表示:“數(shù)據(jù)中心應(yīng)用(服務(wù)器和加速卡)中使用的GPU和AI處理器是2024年芯片行業(yè)的主要驅(qū)動(dòng)力。由于對(duì)AI和生成式AI工作負(fù)載的需求日益增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心在2024年成為了僅次于智能手機(jī)的第二大半導(dǎo)體市場(chǎng),數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體總收入從2023年的648億美元增至112
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消息稱三星芯片部門負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪問(wèn)英偉達(dá)

  • 2 月 18 日消息,據(jù) TheElec 報(bào)道,三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國(guó)英偉達(dá)總部進(jìn)行訪問(wèn)。此次訪問(wèn)的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品,該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存(HBM)。消息人士透露,英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計(jì),此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下,三星設(shè)備解決方案(DS)部門的負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見(jiàn)。IT之家注意到,三星在去年曾計(jì)劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM,但遭遇了良品率和過(guò)熱問(wèn)題。該
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三星介紹

 韓國(guó)三星電子成立于1969年,正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國(guó)惠州投資建廠。此后的10年,三星電子不斷加大在中國(guó)的投資與合作,已經(jīng)成為對(duì)中國(guó)投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國(guó)的銷售額突破100億美元,躍入中國(guó)一流企業(yè)的水平。2003年,三星品牌價(jià)值108.5億美元,世界排名25位,被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]

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